プレスリリース

超高耐圧SiC半導体開発に取り組むUJ-Crystalが第三者割当増資にて総額4.3億円を調達

リリース発行企業:株式会社UJ-Crystal

情報提供:

名古屋大学発ベンチャーの株式会社UJ-Crystal(本社:愛知県名古屋市、代表:宇治原徹、以下UJC)は、この度、SBIインベストメント株式会社(本社:東京都港区、代表:北尾吉孝、以下SBII)、京都大学イノベーションキャピタル株式会社(本社:京都府京都市、代表:楠美公、以下京都iCap)、地域と人と未来株式会社(本社:愛知県名古屋市、代表:伊藤仁成、以下CJSF)、その他機関・個人投資家を引受先とする第三者割当増資を実施し、総額4.3億円の資金調達を行ったことをお知らせします。なお、年末にかけて一定のマイルストン達成による、一部初回投資家の追加投資の可能性も含め、総額5.7億円の追加調達を検討して参ります。

今回の第三者割当増資で調達した資金を用いて、現在開発中の溶液法結晶成長による超高耐圧p型SiC半導体基盤用ウェハの開発を加速させます。AI・データセンターの普及に伴う電力需要が急増する一方、グローバル電力市場では原子力発電所3000基分(約3000GW)の再生可能エネルギー由来の電力が送電出来ないという課題に直面しています。この課題を解決するには、HVDC(長距離・大容量に「送る」直流送電システム)、STATCOM(電力網を「安定化」させるパワーデバイス)、SST(電力を「柔軟に制御する」パワーデバイス)といった、次世代パワーシステム・デバイスによる送配電システムの技術革新が必要です。
*HVDC、STATCOM、SSTについては脚注をご参照ください。

UJCは次世代パワーシステム・デバイス開発のボトルネックとなっている大電力用パワー半導体に必要な超高耐圧p型SiC基板用ウェハ開発をAIデジタルツインによるシミュレーション技術を使って加速し、世界初の社会実装を目指します。



(図)AIデジタルツインによる溶液成長シミュレーションイメージ
<ご参考>
HDVC(High Voltage Direct Current):交流を直流に変換して長距離・大容量の電力を効率的に送電する技術です。
STATCOM(Static Synchronous Compensator):電力系統に並列接続して無効電力を高速に供給・吸収し、電圧安定化を実現する電力用アクティブ機器です。
SST(Solid State Transformer):半導体スイッチと高周波トランスを用いた次世代の電力変換装置で、従来の変圧器に比べ小型・高効率・双方向電力制御が可能です。




超高耐圧p型SiC基板用ウェハについて大電力用パワー半導体に必要なSiC半導体基板の実装を阻んでいるのは、高品質なp型SiC基板用ウェハの作製が困難なことにあります。従来のSiC結晶成長法である昇華法ではp型SiCのドーピング制御と高品質化が困難なため、UJ-Crystalでは、AIデジタルツインを活用し、溶液成長法により開発を進めています。本技術は、国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学・宇治原研究室(所在地:愛知県名古屋市、代表:宇治原徹、以下名古屋大学)のシーズ技術を発展させ、NEDOグリーンイノベーション基金による支援によりUJC、株式会社オキサイドパワークリスタル(本社:山梨県北杜市、代表:古川保典)、マイポックス株式会社(本社:栃木県鹿沼市、代表:渡邊 淳)、名古屋大学、アイクリスタル株式会社(本社:愛知県名古屋市、代表:高石将輝)、国立研究開発法人産業技術総合研究所(所在地:茨城県つくば市、研究チーム長:児島一聡)との共同研究により実現しました。



(写真)溶液成長によるP型SiC基板/試作サンプル_6インチウェハ

 
              
引き受け先のコメント


SBIインベストメント株式会社
執行役員 投資部部長 松本 祐典様/投資部次長 本多 大章様



「今回の資金調達を通じて、UJ-Crystal社の挑戦をご支援できることを大変光栄に思います。宇治原代表が20年以上にわたり研究を重ねてきたSiC結晶技術は、まさに社会実装に向けた量産化のステージを迎えています。本技術がパワー半導体産業の発展に大きく貢献するとともに、大学発スタートアップの成功モデルとなることを確信しております。私たちは、宇治原代表をはじめとするチームの卓越した技術力と量産化への強いコミットメントに大きな可能性を感じています。SBIインベストメントは、資金面にとどまらず、事業開発や組織づくりを含め、同社の成長を全力で支援してまいります。」



京都大学イノベーションキャピタル株式会社
執行役員 投資部第一部長 八木信宏様/マネージャー 大橋治紀様



「私たちは、宇治原代表をはじめとするチームの卓越した技術力と量産化への強いコミットメントに大きな昇華法が主流となっているSiC半導体ウェハ業界において、20年以上溶液成長法一筋に研究された宇治原先生は数えきれないくらいの苦難を乗り越えました。安きに流されず本質を追い求めるこの姿勢が世界を変えるゲームチェンジャーになると信じています。エジソンが直流送電を発明して以来初のアップデートが起こります。」



地域と人と未来CJS2号投資事業有限責任組合
代表パートナー藤田豪様 



「宇治原先生が長年研究されてきた、独創的な高品質SiCウェハ生成技術が必要とされる世の中となりました。AI時代の世界的電力不足問題に真正面から取り組んで参ります。名古屋から世界へ、CJSファンドは全力で伴走します。」

株式会社UJ-Crystal代表・宇治原徹のコメント自らの技術を用いて、この手で社会に貢献したい。しかし、それには多くの困難があります。私たちが開発した技術を、誰よりも知り、うまく使いこなし、大切に思っているのは、私たち自身です。 
だからこそ、仲間とともに困難を乗り越え、最後まであきらめずにやり抜くことができる。そう信じています。私たちは、かつてないこの技術を、かつてないやり方で、かつてないスピードで社会実装し、パワー半導体を通じて低炭素社会の実現に貢献します。



(写真:UJC代表・宇治原徹)


株式会社UJ-Crystalについて
UJCのコア技術である溶液成長法でのSiCウェハ開発は、長年にわたり名古屋大学宇治原研究室にて研究・開発がされてきました。現在も、研究室、大学、UJC、そして関係各社が一丸となって、より高い結晶品質や安定的な結晶製造方法を日々追求し続けています。

【会社概要】
社名:株式会社UJ-Crystal
本社所在地:〒464-0814名古屋市千種区不老町名古屋大学インキュベーション施設
代表取締役:宇治原 徹
事業内容: パワー半導体SiC(炭化ケイ素・シリコンカーバイド)ウェハの開発・製造・販売
設立:2021年6月25日
HP:https://ujcrystal.co.jp/




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